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  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種自動(dòng)化型材孔位檢測(cè)設(shè)備，具體涉及加工檢測(cè)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，包括其上開(kāi)設(shè)有上位孔的型材件，還包括沿型材件被傳送方向依次布置的激光測(cè)距儀和探桿；探桿沿豎向移動(dòng)下探至上位孔內(nèi)以通過(guò)底端設(shè)置的檢測(cè)組件獲取孔徑數(shù)據(jù)，其包括：板架，其呈圓形...
  • 本發(fā)明涉及材料科學(xué)領(lǐng)域，具體是一種氨基化氧化石墨烯基柔性復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明通過(guò)有機(jī)胺將石墨烯納米帶與多孔石墨烯復(fù)合，不僅增強(qiáng)了材料的整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，而且有利于電解液的浸潤(rùn)和離子傳輸和電子的轉(zhuǎn)移，再結(jié)合石墨烯納米帶與多孔石墨烯...
  • 本公開(kāi)提供了一種BIOS運(yùn)維方法、系統(tǒng)及存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。BIOS運(yùn)維方法應(yīng)用于BIOS運(yùn)維系統(tǒng)中的控制服務(wù)器，方法包括：向BIOS運(yùn)維系統(tǒng)中的每臺(tái)待檢服務(wù)器的基板管理控制器BMC發(fā)送獲取請(qǐng)求；接收每臺(tái)待檢服務(wù)器的BMC發(fā)送的B...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種用于無(wú)人潛航器連接肋環(huán)的聲學(xué)黑洞吸振器以及隔振肋環(huán)，屬于水下探測(cè)裝備技術(shù)領(lǐng)域，包括聲學(xué)黑洞構(gòu)件、振蕩梁和振蕩部件，所述聲學(xué)黑洞構(gòu)件形成厚度沿聲波傳播方向遞減的楔形板；所述振蕩梁連接于所述聲學(xué)黑洞構(gòu)件且沿所述聲學(xué)黑洞構(gòu)件厚度遞...
  • 本發(fā)明提供一種字線驅(qū)動(dòng)模塊、字線譯碼電路及存儲(chǔ)器芯片，其中，字線驅(qū)動(dòng)模塊包括電壓傳輸單元。電壓傳輸單元包括第一電壓傳輸部和第二電壓傳輸部，第一電壓傳輸部基于第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)開(kāi)啟或關(guān)閉，并在開(kāi)啟時(shí)對(duì)第一電壓信號(hào)進(jìn)行傳遞并輸出，第二電...
  • 本發(fā)明涉及物體尺寸測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)，涉及一種校準(zhǔn)深度相機(jī)精確測(cè)量物體尺寸的方法和裝置。該校準(zhǔn)深度相機(jī)精確測(cè)量物體尺寸的方法，包括以下步驟：預(yù)設(shè)已知函數(shù)曲面，并且根據(jù)預(yù)設(shè)比例尺制作預(yù)設(shè)尺寸的曲面物體。本發(fā)明能夠校準(zhǔn)深度相機(jī)的測(cè)量值，使深...
  • 本發(fā)明涉及汽車配件檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種汽車車門內(nèi)飾板尺寸檢測(cè)工裝、系統(tǒng)及方法，包括檢測(cè)臺(tái)、兩個(gè)檢測(cè)裝置本體、驅(qū)動(dòng)電機(jī)、蝸桿、兩個(gè)蝸輪、兩個(gè)傳動(dòng)組件和多個(gè)限位組件，將一副車門內(nèi)飾板分別放置于兩個(gè)檢測(cè)裝置本體上，啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)電機(jī)，驅(qū)動(dòng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)...
  • 本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種存儲(chǔ)芯片、探針卡和電子設(shè)備，存儲(chǔ)芯片包括：若干個(gè)第一測(cè)試端口，配置為接收測(cè)試輸入數(shù)據(jù)，并將測(cè)試輸入數(shù)據(jù)傳輸至串行化/解串行化器；串行化/解串行化器，配置為對(duì)測(cè)試輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行解串行處理，產(chǎn)生待寫入數(shù)據(jù)，將待寫入數(shù)據(jù)發(fā)送至...
  • 一種高比容、低溫超級(jí)電容器及其電解液、制備工藝，電解液包括混合溶劑和混合電解質(zhì)鹽，混合溶劑由乙腈、1?叔丁氧基?2,3?環(huán)氧丙烷組成，混合電解質(zhì)鹽由1,1?二甲基吡咯烷四氟硼酸鹽與電解質(zhì)鹽A組成，其中，乙腈的體積比為50?75%；混合電解質(zhì)...
  • 本發(fā)明涉及煤礦井下綜采設(shè)備位姿狀態(tài)檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種基于機(jī)器視覺(jué)的液壓支架多級(jí)護(hù)幫板伸縮角度測(cè)量方法及裝置。本發(fā)明通過(guò)基于機(jī)器視覺(jué)的測(cè)量方法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)液壓支架多級(jí)護(hù)幫板伸縮角度的實(shí)時(shí)、高精度測(cè)量，有效解決了傳統(tǒng)接觸式測(cè)量方法易受干擾...
  • 本發(fā)明涉及一種用于靈敏放大器的輸出鎖存電路，包括第一輸出鎖存電路模塊和第二輸出鎖存電路模塊，所述第一輸出鎖存電路模塊的輸出端DOB1和第二輸出鎖存電路模塊的輸出端DOB2連接，所述第一輸出鎖存電路模塊分別與靈敏放大器SA1和靈敏放大器SA2...
  • 本發(fā)明涉及電能表技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種直流智能電能表，包括表殼和中控板，還包括繼電器外殼、活動(dòng)板、固定板、左觸點(diǎn)、右觸點(diǎn)、電機(jī)、驅(qū)動(dòng)組件、推壓組件和分隔組件。通過(guò)設(shè)置推壓組件和分隔組件來(lái)控制左觸點(diǎn)和右觸點(diǎn)的通斷，并利用蝸輪蝸桿的自鎖原理，從根...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種傳感器防護(hù)裝置及傳感器，該裝置包括：保護(hù)套筒，其筒壁形成有第一孔道，第一孔道具有相對(duì)兩端和相對(duì)兩側(cè)，第一孔道的相對(duì)兩端分別開(kāi)設(shè)有導(dǎo)氣口，第一孔道的相對(duì)兩側(cè)對(duì)向形成錯(cuò)位設(shè)置多塊第一擋水板，第一孔道的底部形成有貫通筒壁的排水口，...
  • 本發(fā)明涉及電化學(xué)材料技術(shù)領(lǐng)域，具體公開(kāi)一種氮摻雜中空褶皺碳球、電極、超級(jí)電容器及制備方法。本發(fā)明提供在碳球制備過(guò)程中通過(guò)芳香胺類物質(zhì)引入氮源，引入飽和有機(jī)環(huán)胺作為交聯(lián)劑，通過(guò)控制反應(yīng)條件，以乳液法制備得到中空褶皺碳球。本發(fā)明通過(guò)成分和形貌的...
  • 本實(shí)用新型涉及云存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于數(shù)據(jù)云存儲(chǔ)設(shè)備的保護(hù)機(jī)構(gòu)，包括有外殼體和設(shè)備主體；設(shè)備主體的一端固定連接有封板一，外殼體上轉(zhuǎn)動(dòng)連接有封板二，設(shè)備主體內(nèi)設(shè)有溫控系統(tǒng)，設(shè)備主體上設(shè)有利用卡合組件將設(shè)備主體與外殼體連接的安裝機(jī)構(gòu)，外...
  • 本實(shí)用新型公開(kāi)一種用于三維掃描的可靠標(biāo)定板，涉及三維掃描技術(shù)領(lǐng)域，解決了標(biāo)定板一般難以調(diào)節(jié)固定角度，結(jié)構(gòu)可靠性不高，難以滿足三維掃描應(yīng)用場(chǎng)景需求的技術(shù)問(wèn)題。該裝置包括基板、背板、角度調(diào)節(jié)支架及外框；所述基板、背板相對(duì)設(shè)置，所述基板上設(shè)置有標(biāo)...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種智能SSD生產(chǎn)測(cè)試系統(tǒng)及方法，涉及固態(tài)硬盤領(lǐng)域，解決當(dāng)前固態(tài)硬盤生產(chǎn)測(cè)試方式不準(zhǔn)確的問(wèn)題，包括測(cè)試分配模塊、測(cè)試設(shè)定模塊、溫度測(cè)試模塊和讀寫測(cè)試模塊，所述測(cè)試分配模塊用于對(duì)待測(cè)固態(tài)硬盤對(duì)應(yīng)測(cè)試任務(wù)的測(cè)試等級(jí)進(jìn)行分配，所述測(cè)試...
  • 本發(fā)明屬于嵌入式系統(tǒng)測(cè)試技術(shù)及工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，公開(kāi)一種自動(dòng)化的PCBA綜合測(cè)試方法及系統(tǒng)，包括：對(duì)待測(cè)PCBA板卡進(jìn)行上電處理；偵測(cè)同一局域網(wǎng)下運(yùn)行了板卡程序的待測(cè)PCBA板卡，并建立連接，偵測(cè)待測(cè)試外設(shè)信息，并將偵測(cè)結(jié)果上報(bào)至上位機(jī)；利用...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種FLASH芯片的測(cè)試系統(tǒng)及測(cè)試方法，應(yīng)用于電子設(shè)備，電子設(shè)備包括FLASH芯片；方法包括：獲取FLASH芯片的第一測(cè)試環(huán)境參數(shù)；獲取FLASH芯片的測(cè)試參數(shù)和參考測(cè)試結(jié)果參數(shù)；根據(jù)第一測(cè)試環(huán)境參數(shù)和測(cè)試參數(shù)對(duì)FLASH...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種eMMC即時(shí)讀寫驗(yàn)證方法、裝置、可讀存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備，使用Java反射機(jī)制獲取用于直接輸入輸出的標(biāo)志，在Java應(yīng)用層中定義包括底層訪問(wèn)函數(shù)集合的底層訪問(wèn)接口，底層訪問(wèn)函數(shù)集合包括打開(kāi)函數(shù)、讀取函數(shù)、寫入函數(shù)和內(nèi)存對(duì)齊分配...
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