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  • 本發(fā)明公開了一種用于無人潛航器連接肋環(huán)的聲學(xué)黑洞吸振器以及隔振肋環(huán)，屬于水下探測(cè)裝備技術(shù)領(lǐng)域，包括聲學(xué)黑洞構(gòu)件、振蕩梁和振蕩部件，所述聲學(xué)黑洞構(gòu)件形成厚度沿聲波傳播方向遞減的楔形板；所述振蕩梁連接于所述聲學(xué)黑洞構(gòu)件且沿所述聲學(xué)黑洞構(gòu)件厚度遞...
  • 本發(fā)明提供一種字線驅(qū)動(dòng)模塊、字線譯碼電路及存儲(chǔ)器芯片，其中，字線驅(qū)動(dòng)模塊包括電壓傳輸單元。電壓傳輸單元包括第一電壓傳輸部和第二電壓傳輸部，第一電壓傳輸部基于第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)開啟或關(guān)閉，并在開啟時(shí)對(duì)第一電壓信號(hào)進(jìn)行傳遞并輸出，第二電...
  • 本發(fā)明涉及物體尺寸測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種校準(zhǔn)深度相機(jī)精確測(cè)量物體尺寸的方法和裝置。該校準(zhǔn)深度相機(jī)精確測(cè)量物體尺寸的方法，包括以下步驟：預(yù)設(shè)已知函數(shù)曲面，并且根據(jù)預(yù)設(shè)比例尺制作預(yù)設(shè)尺寸的曲面物體。本發(fā)明能夠校準(zhǔn)深度相機(jī)的測(cè)量值，使深...
  • 本發(fā)明涉及汽車配件檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種汽車車門內(nèi)飾板尺寸檢測(cè)工裝、系統(tǒng)及方法，包括檢測(cè)臺(tái)、兩個(gè)檢測(cè)裝置本體、驅(qū)動(dòng)電機(jī)、蝸桿、兩個(gè)蝸輪、兩個(gè)傳動(dòng)組件和多個(gè)限位組件，將一副車門內(nèi)飾板分別放置于兩個(gè)檢測(cè)裝置本體上，啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)電機(jī)，驅(qū)動(dòng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)...
  • 本公開實(shí)施例提供了一種存儲(chǔ)芯片、探針卡和電子設(shè)備，存儲(chǔ)芯片包括：若干個(gè)第一測(cè)試端口，配置為接收測(cè)試輸入數(shù)據(jù)，并將測(cè)試輸入數(shù)據(jù)傳輸至串行化/解串行化器；串行化/解串行化器，配置為對(duì)測(cè)試輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行解串行處理，產(chǎn)生待寫入數(shù)據(jù)，將待寫入數(shù)據(jù)發(fā)送至...
  • 本發(fā)明涉及一種用于靈敏放大器的輸出鎖存電路，包括第一輸出鎖存電路模塊和第二輸出鎖存電路模塊，所述第一輸出鎖存電路模塊的輸出端DOB1和第二輸出鎖存電路模塊的輸出端DOB2連接，所述第一輸出鎖存電路模塊分別與靈敏放大器SA1和靈敏放大器SA2...
  • 一種高比容、低溫超級(jí)電容器及其電解液、制備工藝，電解液包括混合溶劑和混合電解質(zhì)鹽，混合溶劑由乙腈、1?叔丁氧基?2,3?環(huán)氧丙烷組成，混合電解質(zhì)鹽由1,1?二甲基吡咯烷四氟硼酸鹽與電解質(zhì)鹽A組成，其中，乙腈的體積比為50?75%；混合電解質(zhì)...
  • 本發(fā)明涉及煤礦井下綜采設(shè)備位姿狀態(tài)檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種基于機(jī)器視覺的液壓支架多級(jí)護(hù)幫板伸縮角度測(cè)量方法及裝置。本發(fā)明通過基于機(jī)器視覺的測(cè)量方法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)液壓支架多級(jí)護(hù)幫板伸縮角度的實(shí)時(shí)、高精度測(cè)量，有效解決了傳統(tǒng)接觸式測(cè)量方法易受干擾...
  • 本發(fā)明涉及電能表技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種直流智能電能表，包括表殼和中控板，還包括繼電器外殼、活動(dòng)板、固定板、左觸點(diǎn)、右觸點(diǎn)、電機(jī)、驅(qū)動(dòng)組件、推壓組件和分隔組件。通過設(shè)置推壓組件和分隔組件來控制左觸點(diǎn)和右觸點(diǎn)的通斷，并利用蝸輪蝸桿的自鎖原理，從根...
  • 本發(fā)明公開了一種傳感器防護(hù)裝置及傳感器，該裝置包括：保護(hù)套筒，其筒壁形成有第一孔道，第一孔道具有相對(duì)兩端和相對(duì)兩側(cè)，第一孔道的相對(duì)兩端分別開設(shè)有導(dǎo)氣口，第一孔道的相對(duì)兩側(cè)對(duì)向形成錯(cuò)位設(shè)置多塊第一擋水板，第一孔道的底部形成有貫通筒壁的排水口，...
  • 本實(shí)用新型公開一種用于三維掃描的可靠標(biāo)定板，涉及三維掃描技術(shù)領(lǐng)域，解決了標(biāo)定板一般難以調(diào)節(jié)固定角度，結(jié)構(gòu)可靠性不高，難以滿足三維掃描應(yīng)用場(chǎng)景需求的技術(shù)問題。該裝置包括基板、背板、角度調(diào)節(jié)支架及外框；所述基板、背板相對(duì)設(shè)置，所述基板上設(shè)置有標(biāo)...
  • 本發(fā)明公開了一種智能SSD生產(chǎn)測(cè)試系統(tǒng)及方法，涉及固態(tài)硬盤領(lǐng)域，解決當(dāng)前固態(tài)硬盤生產(chǎn)測(cè)試方式不準(zhǔn)確的問題，包括測(cè)試分配模塊、測(cè)試設(shè)定模塊、溫度測(cè)試模塊和讀寫測(cè)試模塊，所述測(cè)試分配模塊用于對(duì)待測(cè)固態(tài)硬盤對(duì)應(yīng)測(cè)試任務(wù)的測(cè)試等級(jí)進(jìn)行分配，所述測(cè)試...
  • 本發(fā)明屬于嵌入式系統(tǒng)測(cè)試技術(shù)及工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，公開一種自動(dòng)化的PCBA綜合測(cè)試方法及系統(tǒng)，包括：對(duì)待測(cè)PCBA板卡進(jìn)行上電處理；偵測(cè)同一局域網(wǎng)下運(yùn)行了板卡程序的待測(cè)PCBA板卡，并建立連接，偵測(cè)待測(cè)試外設(shè)信息，并將偵測(cè)結(jié)果上報(bào)至上位機(jī)；利用...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種FLASH芯片的測(cè)試系統(tǒng)及測(cè)試方法，應(yīng)用于電子設(shè)備，電子設(shè)備包括FLASH芯片；方法包括：獲取FLASH芯片的第一測(cè)試環(huán)境參數(shù)；獲取FLASH芯片的測(cè)試參數(shù)和參考測(cè)試結(jié)果參數(shù)；根據(jù)第一測(cè)試環(huán)境參數(shù)和測(cè)試參數(shù)對(duì)FLASH...
  • 本發(fā)明公開了一種eMMC即時(shí)讀寫驗(yàn)證方法、裝置、可讀存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備，使用Java反射機(jī)制獲取用于直接輸入輸出的標(biāo)志，在Java應(yīng)用層中定義包括底層訪問函數(shù)集合的底層訪問接口，底層訪問函數(shù)集合包括打開函數(shù)、讀取函數(shù)、寫入函數(shù)和內(nèi)存對(duì)齊分配...
  • 本發(fā)明公開了一種剛性接觸網(wǎng)輕便式接觸線連續(xù)磨耗測(cè)量?jī)x及測(cè)量方法，包括測(cè)量模塊、爬行機(jī)構(gòu)，測(cè)量模塊安裝在爬行機(jī)構(gòu)內(nèi)部，爬行機(jī)構(gòu)安裝于剛性接觸網(wǎng)的匯流排上進(jìn)行爬行測(cè)量；測(cè)量模塊包括激光發(fā)生器、面陣ccd相機(jī)，激光發(fā)生器正對(duì)于接觸線，并產(chǎn)生光幕垂...
  • 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種軟硬件DRAM冗余修復(fù)方法、計(jì)算設(shè)備、系統(tǒng)及介質(zhì)；方法，包括：基于MC模塊的硬件邏輯，完成對(duì)DRAM的硬件測(cè)試；基于NoC系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線，完成對(duì)DRAM的軟件測(cè)試；基于硬件/軟件測(cè)試結(jié)果，完成DRAM的離線修復(fù)。本發(fā)明優(yōu)...
  • 本實(shí)用新型涉及一種滾針軸承軸套機(jī)加工送料機(jī)構(gòu)，包括底板、推動(dòng)組件、支架、軸承移動(dòng)通道，所述推動(dòng)組件、所述支架均固定安裝在所述底板上，所述軸承移動(dòng)通道傾斜固定安裝在所述支架上；所述軸承移動(dòng)通道具有移動(dòng)凹槽，所述移動(dòng)凹槽供軸承移動(dòng)；所述支架上設(shè)...
  • 本發(fā)明提供一種非對(duì)稱型超級(jí)電容器，正極材料采用活性炭材料，負(fù)極材料采用介孔碳材料，電解質(zhì)的陽離子尺寸大于陰離子，正極活性炭材料主要吸附尺寸較小的陰離子，負(fù)極介孔碳材料主要吸附大尺寸溶劑化陽離子；電解液中的陽離子、陰離子的尺寸分別與負(fù)極、正極...
  • 各種例示性方面涉及一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備包括：盤；讀取/寫入磁頭，該讀取/寫入磁頭被配置為從該盤讀取數(shù)據(jù)和向該盤寫入數(shù)據(jù)；激光二極管(LD)，該激光二極管(LD)耦合到被配置為加熱該盤的靠近該讀取/寫入磁頭的區(qū)域的近場(chǎng)換能器(NF...
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