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信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)
  • 本發(fā)明涉及一種堆疊型存儲(chǔ)芯片及一種芯片內(nèi)部上電方法。所述堆疊型存儲(chǔ)芯片包括垂向堆疊鍵合的至少兩個(gè)存儲(chǔ)裸芯,每個(gè)存儲(chǔ)裸芯包括一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元和多個(gè)供電單元,每個(gè)存儲(chǔ)單元具有獨(dú)立的內(nèi)部電源信號(hào),每個(gè)供電單元用于獲得相應(yīng)存儲(chǔ)裸芯的上電信號(hào)并...
  • 本公開涉及一種用于存儲(chǔ)器裝置的QED移位器。存儲(chǔ)器裝置包含被配置成從主機(jī)裝置接收命令的命令接口。所述存儲(chǔ)器裝置還包含被配置成接收所述命令的命令移位器。所述命令移位器包含串聯(lián)耦合且被配置成延遲所述命令的多個(gè)級(jí)。所述命令移位器包括選擇電路系統(tǒng),...
  • SRAM的經(jīng)寫入掩碼的鎖存器位單元包括寫入掩碼電路,該寫入掩碼電路響應(yīng)于第一寫入掩碼信號(hào)的斷言而致使寫入數(shù)據(jù)節(jié)點(diǎn)的值為第一值并且響應(yīng)于第二寫入掩碼信號(hào)的斷言而致使該寫入數(shù)據(jù)節(jié)點(diǎn)的該值具有第二值。傳輸門響應(yīng)于寫入字線信號(hào)被斷言而將該寫入數(shù)據(jù)節(jié)...
  • 一種存儲(chǔ)器核心電路,包括包括子單元陣列的存儲(chǔ)單元陣列和包括子單元陣列下方的子外圍電路的核心控制電路。子外圍電路被分成第一列邊緣區(qū)域和第二列邊緣區(qū)域以及中心區(qū)域。中心區(qū)域在第一列邊緣區(qū)域和第二列邊緣區(qū)域之間。包括多個(gè)位線感測(cè)放大器的感測(cè)放大器...
  • 本申請(qǐng)公開了存儲(chǔ)器內(nèi)建自測(cè)試系統(tǒng),以在存儲(chǔ)器讀取操作期間使用參考微調(diào)來提示存儲(chǔ)裝置感測(cè)出所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的值。該存儲(chǔ)器內(nèi)建自測(cè)試系統(tǒng)可以自動(dòng)地設(shè)置用于存儲(chǔ)裝置的參考微調(diào)。該存儲(chǔ)器內(nèi)建自測(cè)試系統(tǒng)包括存儲(chǔ)器內(nèi)建自測(cè)試控制器,以提示存儲(chǔ)裝置使用用于參...
  • 本公開實(shí)施例提供一種地址轉(zhuǎn)換電路。該地址轉(zhuǎn)換電路包括:分頻電路,用于接收具有第一頻率的第一地址增加信號(hào),處理并輸出具有第二頻率的第二地址增加信號(hào)和具有第二頻率的跳轉(zhuǎn)信號(hào);所述跳轉(zhuǎn)信號(hào)用于指示第一地址在N個(gè)存儲(chǔ)體之間跳轉(zhuǎn);地址計(jì)數(shù)器,用于接收...
  • 提供了一種讀出放大器及其操作方法,所述讀出放大器用于感測(cè)并放大存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù),所述讀出放大器包括:第一采樣電路,所述第一采樣電路基于第一電流執(zhí)行采樣操作;第二采樣電路,所述第二采樣電路基于第二電流執(zhí)行采樣操作;以及讀出放大電路,所述...
  • 本發(fā)明提供一種非對(duì)稱雙柵控制單元和器件,控制單元包括依次堆疊的第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、柵氧化物和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu);第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相互交叉設(shè)置,且具有的多數(shù)載流子類型不同;柵氧化物設(shè)置于第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的交叉點(diǎn)處;第一半導(dǎo)...
  • 本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)單元和存儲(chǔ)器件,存儲(chǔ)單元包括依次堆疊的第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、低阻硅合金化物和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu);第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相互交叉設(shè)置,且具有的多數(shù)載流子類型不同;低阻硅合金化物設(shè)置于第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的交叉點(diǎn)處,分...
  • 本發(fā)明涉及鐵電存儲(chǔ)器和邏輯單元及操作方法。一個(gè)示例提供了存儲(chǔ)單元,該存儲(chǔ)單元包括:節(jié)點(diǎn);層堆疊,其包括第一電極、連接到節(jié)點(diǎn)的第二電極以及設(shè)置在第一電極與第二電極之間并具有至少兩種極化狀態(tài)的可極化材料層。第一晶體管包括源極端子、漏極端子和柵極...
  • 提供一種控制裝置,減輕處理器的處理負(fù)荷??刂蒲b置具備:第1存儲(chǔ)部,其不需要刷新且具有易失性;第1處理器,其訪問第1存儲(chǔ)部;總線仲裁器,其對(duì)來自第1處理器的訪問請(qǐng)求進(jìn)行調(diào)停;第1控制電路,其基于經(jīng)由總線仲裁器從第1處理器接受的訪問請(qǐng)求,進(jìn)行第...
  • 本發(fā)明屬于出貨機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種本式物品出貨機(jī),包括機(jī)體,所述機(jī)體的左右兩側(cè)安裝有滑軌組件,所述滑軌組件匹配片連接有滑動(dòng)組件,所述滑動(dòng)組件連接有牽引電機(jī),所述滑動(dòng)組件連接有安裝座,兩個(gè)所述的安裝座之間連接有上連接桿和下連接桿,所述上連...
  • 本發(fā)明提供了一種軟件開發(fā)用高性能測(cè)試平臺(tái),涉及軟件開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域,通過明確測(cè)試目標(biāo)、標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試環(huán)境、規(guī)范測(cè)試數(shù)據(jù)管理、合理選擇性能測(cè)試工具、完善性能監(jiān)控、深入分析結(jié)果以及加強(qiáng)團(tuán)隊(duì)協(xié)作,提高了性能測(cè)試的準(zhǔn)確性和效率。該平臺(tái)包括測(cè)試目標(biāo)設(shè)定、測(cè)試...
  • 本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域,本發(fā)明公開了多個(gè)eflash IP并行工作的控制方法和系統(tǒng),所述方法包括在控制電路中設(shè)計(jì)仲裁機(jī)制;控制電路利用仲裁機(jī)制對(duì)接收的外部指令操作進(jìn)行仲裁機(jī)制處理,并根據(jù)處理后的結(jié)果分別對(duì)多個(gè)eflash IP進(jìn)行對(duì)應(yīng)操作...
  • 公開了一種存儲(chǔ)器裝置及其測(cè)試方法,存儲(chǔ)器裝置可以包括:存儲(chǔ)器電路,其在測(cè)試模式下生成多個(gè)測(cè)試數(shù)據(jù);多個(gè)比較器組,其基于多個(gè)測(cè)試數(shù)據(jù)的一部分和多個(gè)參考數(shù)據(jù)的一部分生成第一比較信號(hào),以及基于剩余的測(cè)試數(shù)據(jù)和剩余的參考數(shù)據(jù)生成第二比較信號(hào);錯(cuò)誤計(jì)...
  • 本申請(qǐng)公開了一種告警方法、存儲(chǔ)介質(zhì)、電子設(shè)備及程序產(chǎn)品,涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,首先獲取數(shù)據(jù)請(qǐng)求對(duì)應(yīng)的不同系統(tǒng)層級(jí)的響應(yīng)信息;然后根據(jù)不同系統(tǒng)層級(jí)的響應(yīng)信息,確定數(shù)據(jù)請(qǐng)求中的超時(shí)請(qǐng)求,以及超時(shí)請(qǐng)求對(duì)應(yīng)的阻塞層級(jí);再基于阻塞層級(jí)的響應(yīng)信息,確定超...
  • 本發(fā)明公開了一種木質(zhì)素基環(huán)氧樹脂衍生多孔碳復(fù)合電極材料及其制備方法和應(yīng)用,屬于電子材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明以木質(zhì)素磺酸鈉、對(duì)苯二酚、環(huán)氧氯丙烷為主要原料,加入間苯二胺縮聚制備木質(zhì)素基環(huán)氧樹脂聚合物,然后經(jīng)過預(yù)碳化和高溫?zé)峤猓玫侥举|(zhì)素基環(huán)氧樹脂...
  • 一種存儲(chǔ)器電路包括存儲(chǔ)器陣列,該存儲(chǔ)器陣列包括多個(gè)第一存儲(chǔ)器單元和多個(gè)第二存儲(chǔ)器單元,多個(gè)第一存儲(chǔ)器單元中的每一個(gè)被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位,多個(gè)第二存儲(chǔ)器單元中的每一個(gè)被配置為存儲(chǔ)修復(fù)位;多個(gè)寄存器電路;以及耦合到多個(gè)寄存器電路的比較電路。多個(gè)寄...
  • 本公開提供了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件以及包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)系統(tǒng)。所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括:外部電阻器,所述外部電阻器位于板中;以及多個(gè)存儲(chǔ)器裸片,所述多個(gè)存儲(chǔ)器裸片安裝在所述板上并且被指定為主裸片和從裸片。所述存儲(chǔ)器裸片共同連接到所述外部電阻器。...
  • 本申請(qǐng)涉及一種芯片讀寫能力測(cè)試設(shè)備、方法、可讀存儲(chǔ)介質(zhì)和系統(tǒng)。芯片讀寫能力測(cè)試設(shè)備與待測(cè)芯片電連接,測(cè)試設(shè)備基于接收到的控制指令,生成并向待測(cè)芯片發(fā)送控制信號(hào)、地址信號(hào)和樣本數(shù)據(jù);控制信號(hào)包括時(shí)鐘選擇信號(hào);時(shí)鐘選擇信號(hào)為第一選擇信號(hào)時(shí),獲取...
技術(shù)分類
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