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信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)
  • 本發(fā)明提供了聲學(xué)黑洞夾層梁的振動(dòng)特性分析方法，其步驟為：1)針對(duì)非連續(xù)芯體夾層梁耦合段，建立其透射矩陣T和反射矩陣R；2)利用波的迭代關(guān)系建立含一個(gè)聲學(xué)黑洞結(jié)構(gòu)的透射矩陣TABH和反射矩陣RABH...
  • 一種非易失性存儲(chǔ)器包括被劃分為塊的非易失性存儲(chǔ)器單元、連接到這些塊的位線和連接到這些塊的源極線。每個(gè)塊包括多個(gè)子塊。每個(gè)子塊包括比位線更靠近源極線的多個(gè)源極側(cè)柵極感應(yīng)漏極泄漏(“GIDL”)生成晶體管。用于每個(gè)子塊的GIDL生成晶體管可與用...
  • 本發(fā)明提供一次性可編程器件、一次性可編程存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)芯片，所述一次性可編程器件，包括磁隧道結(jié)和自旋軌道矩層，所述磁隧道結(jié)用于在短路情況下實(shí)現(xiàn)第一比特的一次性寫入，所述自旋軌道矩層用于在斷路的情況下實(shí)現(xiàn)第二比特的一次性寫入，所述自旋軌道矩層關(guān)...
  • 本公開實(shí)施例公開了一種數(shù)據(jù)輸出電路，所述數(shù)據(jù)輸出電路包括：選擇電路，用于根據(jù)接收到的第一代碼選擇輸出第一控制信號(hào)，或選擇輸出第二控制信號(hào)；驅(qū)動(dòng)電路，連接所述選擇電路，所述驅(qū)動(dòng)電路用于接收第一數(shù)據(jù)信號(hào)并根據(jù)所述第一控制信號(hào)輸出第一電平，或根據(jù)...
  • 本發(fā)明提供一種軟包全碳鋰離子混合電容器及其制備方法，屬于電化學(xué)儲(chǔ)能方法技術(shù)領(lǐng)域。為全碳鋰離子電容器正負(fù)極鋰離子動(dòng)力學(xué)平衡，提高循環(huán)穩(wěn)定性，提高回收價(jià)值。本發(fā)明包括依次疊放在一個(gè)隔膜上的正極片和負(fù)極片，每個(gè)正極片的一側(cè)均設(shè)有正極極耳且均焊接為...
  • 本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于RRAM存算電路的電流減法電路及方法，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中使用電流比較器對(duì)存算乘累加結(jié)果進(jìn)行量化操作存在量化邏輯復(fù)雜、量化周期長(zhǎng)的問題，包括第一鉗位電路、第二鉗位電路、PMOS電流鏡電路和NMOS電流鏡電路；所述PMOS...
  • 本實(shí)用新型涉及滾子生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種滾子定向輸送送料管，包括沿著物料的輸送方向依次設(shè)置有進(jìn)料管、換向管以及出料管，換向管包括輸送軟管，輸送軟管的兩端均設(shè)有連接管，輸送軟管的中部設(shè)有支撐裝置，避免輸送軟管在作業(yè)時(shí)中部發(fā)生形變后導(dǎo)致...
  • 本發(fā)明提供了一種纖維素基多孔碳電極材料及其制備的超級(jí)電容器電極，纖維素基多孔碳電極材料由以下步驟制備而成：取水合肼、纖維素粉和六水合乙酸鎳加入去離子水中，超聲，均勻混合，然后將上述混合物轉(zhuǎn)移至水熱釜內(nèi)膽水熱反應(yīng)，過濾、洗滌，干燥，得到纖維素...
  • 本實(shí)用新型涉及外貿(mào)單據(jù)收納技術(shù)領(lǐng)域，提供一種外貿(mào)單據(jù)自動(dòng)存取裝置，包括柜體，柜體上設(shè)置有掃描儀、顯示屏以及控制面板，還包括：至少兩個(gè)存放盒，滑動(dòng)配合在柜體一側(cè)的開口，不同類別的外貿(mào)單據(jù)存放在不同的存放盒中；柜體上設(shè)置有第一驅(qū)動(dòng)組件，第一驅(qū)動(dòng)...
  • 本發(fā)明涉及電極材料技術(shù)領(lǐng)域，一種氮摻雜石墨烯量子點(diǎn)修飾的鐵摻雜鎳鈷氧磷化物空心納米盒電極材料，該電極材料的制備方法具體為：首先通過液相共沉淀法合成FeNiCo?PBA納米立方體前驅(qū)體；然后通過高溫磷化反應(yīng)將前驅(qū)體轉(zhuǎn)化為Fe?NiCoOP空心...
  • 提供了一種存儲(chǔ)器裝置和存儲(chǔ)器裝置的操作方法。所述存儲(chǔ)器裝置包括：行解碼器，包括串聯(lián)布置的多個(gè)行解碼器塊，其中，所述多個(gè)行解碼器塊基于所述多個(gè)行解碼器塊負(fù)責(zé)的行地址被區(qū)分；修復(fù)地址存儲(chǔ)電路，包括存儲(chǔ)有第一多個(gè)故障行地址的熔絲陣列；修復(fù)控制電路...
  • 可以利用本文描述的技術(shù)來實(shí)現(xiàn)用于使用諸如算術(shù)編碼等壓縮技術(shù)將算術(shù)電路無損壓縮和串行化為比特流的方法和系統(tǒng)。可以使用算術(shù)編碼來壓縮表示智能合約的算術(shù)電路，從而生成壓縮的算術(shù)電路，與否則需要存儲(chǔ)算術(shù)電路所需的計(jì)算資源相比，可以使用更少的計(jì)算資源...
  • 本發(fā)明公開了一種高效、低成本的竹炭基電極制備技術(shù)，通過高溫熔融熱解與化學(xué)活化相結(jié)合，利用竹子生物質(zhì)原料，基于其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、具有較高比表面積且孔隙分布廣泛的特性，制備高穩(wěn)定性、高比表面積的多孔炭材料。通過脫灰、活化改性及電極漿料制備工藝，獲得具...
  • 本實(shí)用新型公開了一種耐高溫全鉭全密封型超級(jí)電容器，屬于電容器技術(shù)領(lǐng)域，包括鉭殼、鉭蓋以及芯包。鉭蓋上開設(shè)有正極引線孔以及負(fù)極引線孔，正極引線孔內(nèi)設(shè)置有絕緣子。芯包包括第一隔離層、第二隔離層、陽極鉭箔以及陰極鉭箔。芯包設(shè)置于鉭殼的內(nèi)部，陽極鉭...
  • 本發(fā)明公開一種磁記錄系統(tǒng)、磁序?qū)懭敕椒ㄒ约皵?shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，磁記錄系統(tǒng)包括磁序?qū)懭胙b置和磁記錄結(jié)構(gòu)，磁記錄結(jié)構(gòu)包括基底以及設(shè)置在基底上的層疊結(jié)構(gòu)；層疊結(jié)構(gòu)依次包括種子層和存儲(chǔ)賽道層，存儲(chǔ)賽道層包括多個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)賽道，各存儲(chǔ)...
  • 本實(shí)用新型涉及云存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于數(shù)據(jù)云存儲(chǔ)設(shè)備的保護(hù)機(jī)構(gòu)，包括有外殼體和設(shè)備主體；設(shè)備主體的一端固定連接有封板一，外殼體上轉(zhuǎn)動(dòng)連接有封板二，設(shè)備主體內(nèi)設(shè)有溫控系統(tǒng)，設(shè)備主體上設(shè)有利用卡合組件將設(shè)備主體與外殼體連接的安裝機(jī)構(gòu)，外...
  • 本發(fā)明涉及電化學(xué)材料技術(shù)領(lǐng)域，具體公開一種氮摻雜中空褶皺碳球、電極、超級(jí)電容器及制備方法。本發(fā)明提供在碳球制備過程中通過芳香胺類物質(zhì)引入氮源，引入飽和有機(jī)環(huán)胺作為交聯(lián)劑，通過控制反應(yīng)條件，以乳液法制備得到中空褶皺碳球。本發(fā)明通過成分和形貌的...
  • 本申請(qǐng)公開了一種故障檢測(cè)方法、裝置及計(jì)算機(jī)設(shè)備，涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，包括：獲取第一故障日志，判斷第一故障日志中是否存在針對(duì)同一位置信息的第二故障日志，如果存在第二故障日志，判斷第二故障日志中是否記錄同一個(gè)異常設(shè)備，如果記錄不同的異常設(shè)備，確...
  • 本發(fā)明公開了輸送滑槽，包括：滑槽本體，其包括加速區(qū)域，所述加速區(qū)域設(shè)置有第一通氣孔，所述第一通氣孔與一空氣泵的出氣端連通；所述滑槽本體還包括減速區(qū)域，所述減速區(qū)域設(shè)置有第二通氣孔，所述第二通氣孔與一真空泵的進(jìn)氣端連通；或者，所述減速區(qū)域上方...
  • 一種存儲(chǔ)器器件包括設(shè)置在襯底上方的第一存儲(chǔ)器陣列、設(shè)置在襯底上方并沿第一方向與第一存儲(chǔ)器陣列分離的第二存儲(chǔ)器陣列、以及限定在所述襯底中并介于第一存儲(chǔ)器陣列和第二存儲(chǔ)器陣列之間的帶狀單元。帶狀單元包括鄰接第一存儲(chǔ)器陣列的第一邊界、鄰接第二存儲(chǔ)...
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