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電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于高壓快速晶閘管的脈沖產(chǎn)生模塊、模組及脈沖產(chǎn)生方法，解決了采用IGBT開(kāi)關(guān)的脈沖產(chǎn)生模塊單管功率密度低、同步控制復(fù)雜、易受干擾且驅(qū)動(dòng)較復(fù)雜的問(wèn)題，具體包括充電單元、快速晶閘管K、驅(qū)動(dòng)電路D、PFN單元以及輸出單元；充電單元...
  • 一種質(zhì)譜分離高壓高頻信號(hào)發(fā)生電路及其運(yùn)行方法，包括：方波信號(hào)發(fā)生電路、驅(qū)動(dòng)電路、耦合電路、功率放大電路及升壓電路；方波信號(hào)發(fā)生電路的方波信號(hào)輸出端與驅(qū)動(dòng)電路的方波信號(hào)輸入端連接，驅(qū)動(dòng)電路的高驅(qū)動(dòng)方波信號(hào)輸出端與耦合電路的高驅(qū)動(dòng)方波信號(hào)輸入端...
  • 提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單而在電源電壓發(fā)生了變動(dòng)的情況下也能夠防止電路的誤動(dòng)作的濾波器電路和半導(dǎo)體裝置。具備鎖存電路和上升調(diào)整部。鎖存電路對(duì)被輸入到第一輸入端子的置位信號(hào)和被輸入到第二輸入端子的復(fù)位信號(hào)分別進(jìn)行鎖存。上升調(diào)整部使電源接通時(shí)的置位信號(hào)或...
  • 本發(fā)明提供了一種用于同步降采樣的時(shí)間插補(bǔ)電路及插補(bǔ)時(shí)間修正方法。時(shí)間插補(bǔ)電路中的門(mén)電路控制器通過(guò)外部觸發(fā)信號(hào)和比較器電路輸出信號(hào)觸發(fā)來(lái)控制第一開(kāi)關(guān)、第二開(kāi)關(guān)進(jìn)行電容器充電，控制第三開(kāi)關(guān)進(jìn)行通路切換來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓的采樣、運(yùn)算與比較，比較器電路輸出...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種適用于高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片的電平位移電路，該電平位移電路在浮動(dòng)電源電平位移電路產(chǎn)生的受邏輯地影響的信號(hào)的基礎(chǔ)上，增加了一路浮動(dòng)地電平位移電路產(chǎn)生的隨浮動(dòng)地變化的信號(hào)，共同控制后續(xù)高壓電路，兩路信號(hào)通過(guò)或門(mén)轉(zhuǎn)換成一路隨浮動(dòng)電平變化...
  • 本發(fā)明涉及一種適用于Class?AB運(yùn)放輸出級(jí)的過(guò)流保護(hù)電路，其采用上下對(duì)稱分布的灌電流過(guò)流保護(hù)電路和抽電流過(guò)流保護(hù)電路組成。能夠有效利用電路中的負(fù)反饋實(shí)現(xiàn)對(duì)功率管所屬電流的準(zhǔn)確復(fù)制，由此能夠有效設(shè)置限制電流的大小。限流電路對(duì)影響運(yùn)放輸出阻...
  • 本文涉及在空閑模式狀態(tài)期間具有過(guò)電流保護(hù)的智能開(kāi)關(guān)。描述一種電路，包括連接在電源端子與輸出端子之間的功率晶體管、耦合到功率晶體管的控制電極并配置為向控制電極施加控制電流以接通或關(guān)斷功率晶體管的控制電路、以及連接到功率晶體管的過(guò)電流保護(hù)電路。...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種LDPC碼的基于排序TEPs的OSD譯碼方法。本發(fā)明主要在分階統(tǒng)計(jì)譯碼(Ordered Statistic Decoding，OSD)算法的基礎(chǔ)上，根據(jù)對(duì)測(cè)試錯(cuò)誤模式(Test Error Pattern，TEPs)的似然度...
  • 本發(fā)明涉及三模抗輻照時(shí)鐘電路，通過(guò)設(shè)計(jì)僅引入三條相對(duì)獨(dú)立的張弛振蕩電路，配合二分頻器來(lái)產(chǎn)生較穩(wěn)定的時(shí)鐘，并且將三條支路的比較輸出經(jīng)過(guò)三輸入反相投票器做三模操作后反饋到支路的充放電控制端，使其通過(guò)內(nèi)部充放電周期切換自動(dòng)保持時(shí)鐘的穩(wěn)定輸出；由于...
  • 一種可編程增益運(yùn)放PGA，其包括集成運(yùn)算放大器A21、驅(qū)動(dòng)器A22、可編程電阻R21、電阻R22、電阻R23、可編程電阻R24、電阻R25、開(kāi)關(guān)S1、開(kāi)關(guān)S2、開(kāi)關(guān)S3以及開(kāi)關(guān)S4；集成運(yùn)算放大器A21的同相輸入端和可編程增益運(yùn)放PGA的輸...
  • 本發(fā)明旨在提供一種用兩線控制三線的模塊及控制方法，無(wú)需使用IO擴(kuò)展芯片，從現(xiàn)有時(shí)鐘信號(hào)中產(chǎn)生一個(gè)額外的第三信號(hào)，實(shí)現(xiàn)從兩個(gè)IO口得到三個(gè)控制信號(hào)，從而達(dá)到節(jié)省成本的目的。本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)經(jīng)輸入電阻接入第一電壓比較器的正輸入端，第一電壓比較器...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種輸出自動(dòng)保持的鎖相環(huán)電路及控制方法，通過(guò)對(duì)分頻信號(hào)和輸入?yún)⒖夹盘?hào)的入鎖(分頻信號(hào)和輸入?yún)⒖夹盘?hào)的相位差在所述誤差范圍內(nèi))和失鎖(分頻信號(hào)和輸入?yún)⒖夹盘?hào)的相位差不在所述誤差范圍內(nèi))進(jìn)行監(jiān)測(cè)，并通過(guò)該監(jiān)測(cè)信號(hào)使電荷泵在鎖相環(huán)失鎖...
  • 頻率控制裝置包含第一相位內(nèi)插器電路、檢測(cè)電路以及數(shù)字控制器電路系統(tǒng)。第一相位內(nèi)插器電路用以根據(jù)第一控制信號(hào)與至少一個(gè)第一參考頻率信號(hào)產(chǎn)生第二參考頻率信號(hào)。檢測(cè)電路用以根據(jù)接收器信號(hào)以及第二參考頻率信號(hào)之間的差異產(chǎn)生誤差信號(hào)，其中接收器信號(hào)為...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于自動(dòng)校正DCO的兩步式ADC電路、轉(zhuǎn)換方法及應(yīng)用，包括：自動(dòng)校正DCO完成粗量化時(shí)鐘和精量化時(shí)鐘的頻率校正；ADC的第一步為單步M位SS ADC粗量化，第二步為精量化，精量化先通過(guò)殘余時(shí)間檢測(cè)模塊提取殘余時(shí)間，再通過(guò)殘余...
  • 本公開(kāi)的高頻放大器具備：高頻輸入端子；高頻輸出端子；多個(gè)放大器，它們分別具有晶體管，并且串聯(lián)連接；穩(wěn)定化電路，其設(shè)置于所述多個(gè)放大器中的至少兩個(gè)放大器；第1頻帶排除濾波器；以及輸出偏置電路，各個(gè)所述穩(wěn)定化電路具有：帶通濾波器、和與所述帶通濾...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種大功率高精度交流恒流源的混合開(kāi)關(guān)功率放大電路，屬于電子技術(shù)領(lǐng)域，包括負(fù)載、數(shù)個(gè)單通道內(nèi)環(huán)單元、外環(huán)單元和控制單元，解決了互感器并聯(lián)輸出瞬態(tài)重載時(shí)容易引發(fā)的任一或者多個(gè)互感器出現(xiàn)飽和的技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明中直接通過(guò)硬件反饋的方式，...
  • 本發(fā)明屬于模擬數(shù)字混合集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種N位電容型數(shù)模轉(zhuǎn)換器，適用于多電壓域。本發(fā)明基于奈奎斯特帶寬內(nèi)均方根量化噪聲公式，對(duì)于相同精度的ADC在輸入電壓范圍越大量化噪聲越大，從而通過(guò)引入雙電壓域，提高輸入電壓范圍，在不需要進(jìn)一步提...
  • 本發(fā)明公開(kāi)一種功率合成放大器，包括兩路功率放大結(jié)構(gòu)，其中每路功率放大結(jié)構(gòu)由輸入匹配電路、驅(qū)動(dòng)級(jí)放大器DA、級(jí)間匹配電路、功率級(jí)放大器PA和輸出匹配電路；所述功率合成放大器輸入端由T型結(jié)功率分配網(wǎng)絡(luò)連接；所述功率合成放大器輸出端由T型結(jié)功率合...
  • 本發(fā)明提供了一種低噪聲放大電路及射頻功放模組，其中，所述低噪聲放大電路包括輸入匹配電路、共源共柵放大結(jié)構(gòu)、輸出匹配電路以及通路切換組件；所述輸入匹配電路包括第一電感、第二電感、第一電容以及第三電感；所述輸出匹配電路包括第四電感、第二電容、第...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種開(kāi)關(guān)電容結(jié)構(gòu)及其正壓驅(qū)動(dòng)電路，涉及電子技術(shù)技術(shù)領(lǐng)域，解決傳統(tǒng)的基于薄膜電容或變?nèi)荻O管實(shí)現(xiàn)的可變電容線性度較差，且Q值不高，難以滿足濾波器低損耗和高抑制要求的技術(shù)問(wèn)題，包括第一射頻電容C1、第二隔直電容C2、第三隔直電容C3...
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