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電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
  • 本發(fā)明提供了一種體聲波濾波器、通信器件及體聲波濾波器的制備方法。該體聲波濾波器包括:第一襯底;位于第一襯底的沿豎直方向設(shè)置的至少兩個(gè)體聲波諧振器,體聲波諧振器包括底電極、壓電層和頂電極的疊層結(jié)構(gòu);沿豎直方向相鄰設(shè)置的體聲波諧振器包括第一體聲...
  • 本申請(qǐng)公開一種體聲波諧振器及其制備方法、濾波器,涉及諧振器技術(shù)領(lǐng)域,該體聲波諧振器包括襯底以及依次設(shè)置于所述襯底上的下電極、壓電層和上電極,所述襯底上設(shè)置有凹槽,所述下電極、所述壓電層和所述上電極在層疊方向上的交疊區(qū)域作為諧振區(qū)域,在所述壓...
  • 本發(fā)明公開了一種薄膜體聲波諧振器及其制備方法、濾波器,其中,薄膜體聲波諧振器,包括:襯底;襯底的頂部設(shè)置有空腔;位于襯底的頂部的堆疊結(jié)構(gòu);堆疊結(jié)構(gòu)包括溫度補(bǔ)償層和空氣反射結(jié)構(gòu);空氣反射結(jié)構(gòu)位于溫度補(bǔ)償層背離襯底的一側(cè);溫度補(bǔ)償層設(shè)有第一聲反...
  • 本公開提供了一種體聲波器件制備方法和體聲波器件,可以應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括:在硅基襯底上形成體聲波濾波器;在體聲波濾波器的表面及背面沉積形成保護(hù)層;基于體聲波濾波器的表面包括的多個(gè)電極連接區(qū)域,在保護(hù)層上刻蝕形成多個(gè)通孔開口;以及...
  • 本發(fā)明提供了一種聲表面波濾波器及其制造方法,形成覆蓋叉指換能器及壓電基材的犧牲層,犧牲層中形成有第一開口,第一開口貫穿犧牲層并圍繞叉指換能器;在第一開口中填充阻擋結(jié)構(gòu);形成蓋帽層,蓋帽層覆蓋犧牲層及阻擋結(jié)構(gòu),蓋帽層中形成有第二開口,第二開口...
  • 本公開提供了一種體聲波器件制備方法、裝置和體聲波器件,可以應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括:在硅基襯底上形成體聲波濾波器,其中,體聲波濾波器的表面包括多個(gè)電極連接區(qū)域;在多個(gè)電極連接區(qū)域各自形成凸點(diǎn)結(jié)構(gòu);基于多個(gè)凸點(diǎn)結(jié)構(gòu),將體聲波濾波器封裝...
  • 本發(fā)明公開了一種基于電場(chǎng)、磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng)的導(dǎo)電流體運(yùn)動(dòng)聲波調(diào)制器件、方法及應(yīng)用,涉及聲波控制技術(shù)領(lǐng)域。該器件包括導(dǎo)電流體驅(qū)動(dòng)部分,用于驅(qū)動(dòng)導(dǎo)電流體;磁場(chǎng)生成裝置,用于生成所需的磁場(chǎng);直流電壓源,用于提供需要的電壓場(chǎng);聲學(xué)流動(dòng)腔體,為導(dǎo)電流體提供運(yùn)...
  • 提供一種提高諧振特性的SAW諧振器用壓電體基板的制造方法及通過(guò)該方法制造的SAW諧振器用壓電體基板。SAW諧振器用壓電體基板的制造方法作為一種SAW諧振器用壓電體基板的制造方法,其包括如下幾個(gè)步驟:準(zhǔn)備疊層基板;以及通過(guò)對(duì)疊層基板進(jìn)行熱處理...
  • 本發(fā)明提供了一種緊湊型硅基EMI濾波器及其制造方法,包括第一低阻多晶硅層內(nèi)還設(shè)有高阻多晶硅層,第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、第一低阻多晶硅層和高阻多晶硅層能夠組成C?R?C濾波電路,半導(dǎo)體硅襯底上表面設(shè)有與I/O端口一相連的第一金屬導(dǎo)電層、與I/...
  • 本發(fā)明屬于濾波器技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種小型化聲表面波濾波器;該濾波器包括:相互連接的信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端和諧振器;諧振器包括一個(gè)叉指換能器區(qū)域和兩個(gè)短路反射柵區(qū)域;叉指換能器區(qū)域位于兩個(gè)短路反射柵區(qū)域之間;三個(gè)區(qū)域均由輸入?yún)R流條、輸出匯流...
  • 本發(fā)明涉及微波射頻技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種三階調(diào)諧低通濾波器。包括輸入耦合電感L1、第一級(jí)間耦合電感L2、第二級(jí)間耦合電感L3、輸出耦合電感L4、第一調(diào)諧電容C1、第二調(diào)諧電容C2和第三調(diào)諧電容C3,其中第一調(diào)諧電容C1、第二調(diào)諧電容C2和第...
  • 本實(shí)用新型實(shí)施例涉及一種用于測(cè)量集成電路邏輯單元延時(shí)的測(cè)試信號(hào)發(fā)生電路,包括:第一環(huán)形振蕩器和第一分頻器;第一環(huán)形振蕩器包括2M個(gè)級(jí)聯(lián)的邏輯單元和一個(gè)反向單元;2M個(gè)級(jí)聯(lián)的邏輯單元中最后一級(jí)邏輯單元的輸出端連接反向單元的第一輸入端,反向單元...
  • 本發(fā)明提供一種溫控衰減器及溫控衰減射頻開關(guān),溫控衰減器包括:溫控偏置電流電路,根據(jù)外部溫度變化產(chǎn)生具有不同溫度系數(shù)的偏置電流;偏置電壓電路,根據(jù)所述偏置電流產(chǎn)生柵極電壓;衰減器,所述衰減器包括MOS管,所述MOS管根據(jù)所述柵極電壓調(diào)節(jié)衰減量...
  • 本實(shí)用新型提供了一種基于多通道濾波的射頻源模塊,所述射頻源模塊中包括鎖相環(huán)模塊、倍頻濾波放大模塊、分頻濾波放大模塊,通過(guò)鎖相環(huán)模塊分別對(duì)倍頻濾波放大模塊和分頻濾波放大模塊提供射頻信號(hào),并且,在倍頻濾波放大模塊和分頻濾波放大模塊中,針對(duì)每個(gè)頻...
  • 本公開提供了一種多相位時(shí)鐘電路和多相位時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生方法,應(yīng)用于集成電路技術(shù)領(lǐng)域,其中多相位時(shí)鐘電路包括:注入開關(guān)控制模塊被配置為獲取表征頻率注入比例的注入模式控制信號(hào);注入開關(guān)選擇模塊被配置為根據(jù)注入模式控制信號(hào)確定四相注入時(shí)鐘信號(hào)的注入相...
  • 本發(fā)明提供了一種高壓氣體開關(guān)觸發(fā)電路,包括電源模塊、輸入隔離模塊、充電儲(chǔ)能模塊、放電觸發(fā)模塊、第一電容C1和隔離變壓器T1,電源模塊與充電儲(chǔ)能模塊連接,充電儲(chǔ)能模塊與第一電容C1連接,第一電容C1與隔離變壓器T1的初級(jí)繞組的起始端連接,隔離...
  • 本發(fā)明公開了一種縮短穩(wěn)定時(shí)間的生物濾波器電路,屬于信號(hào)濾波電路領(lǐng)域。本發(fā)明提供的生物濾波器電路由檢測(cè)電路、延時(shí)電路、選擇電路和模擬濾波器組成。該電路在模擬濾波器中設(shè)置了可切換工作但截止頻率不同的兩個(gè)濾波器,通過(guò)檢測(cè)電路、延時(shí)電路、選擇電路的...
  • 本發(fā)明公開了一種基于混頻架構(gòu)的鎖相環(huán)雜散優(yōu)化方法,該方法包括:先基于設(shè)定的輸出頻率和合成參考信號(hào)的頻率范圍確定出第一鎖相環(huán)的分頻比集,所述合成參考信號(hào)具體為第二鎖相環(huán)的輸出信號(hào)與固定參考本振信號(hào)混頻后的信號(hào);然后確定所述分頻比集中每個(gè)分頻比...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種聲表面波濾波器、射頻芯片以及電子設(shè)備,涉及聲表面波濾波器技術(shù)領(lǐng)域,聲表面波濾波器包括:輸入端口、輸出端口、接地端口、連接在輸入端口與輸出端口之間的串聯(lián)支路,以及連接串聯(lián)支路與接地端口的并聯(lián)支路,串聯(lián)支路包括至少一個(gè)串聯(lián)...
  • 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種超薄石英晶片結(jié)構(gòu)、制備方法及石英諧振器,通過(guò)在石英晶片主體上設(shè)置至少一個(gè)晶片增強(qiáng)凹槽,在每個(gè)晶片增強(qiáng)凹槽內(nèi)設(shè)置晶片功能凹槽,以晶片增強(qiáng)凹槽的至少一個(gè)側(cè)壁與石英晶片主體構(gòu)成晶片增強(qiáng)結(jié)構(gòu),能夠?yàn)槭⒕Y(jié)構(gòu)的...
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