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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件及方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113178446B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110110586.7，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權半導體器件及方法是由黃玉蓮;王冠人;傅勁逢設計研發完成，并于2021-01-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及方法在說明書摘要公布了：本申請公開了半導體器件及方法。一種實施例方法包括：在溝道區域之上形成柵極堆疊；與溝道區域相鄰地生長源極漏極區域；在源極漏極區域和柵極堆疊之上沉積第一ILD層；通過第一ILD層形成源極漏極接觸件；通過第一ILD層形成柵極接觸件，該柵極接觸件與柵極堆疊實體接觸；執行蝕刻工藝以部分地暴露第一側壁和第二側壁，該第一側壁位于源極漏極接觸件和第一ILD層的第一界面處，第二側壁位于柵極接觸件和第一ILD層的第二界面處；形成第一導電特征，該第一導電特征與源極漏極接觸件的第一側壁和第一頂表面實體接觸；以及形成第二導電特征，該第二導電特征與柵極接觸件的第二側壁和第二頂表面實體接觸。

本發明授權半導體器件及方法在權利要求書中公布了：1.一種用于制造半導體器件的結構，包括：柵極堆疊，位于襯底的溝道區域之上；源極漏極區域，與所述溝道區域相鄰；第一層間電介質ILD層，位于所述源極漏極區域和所述柵極堆疊之上；第一金屬間電介質IMD層，位于所述第一ILD層之上；第一導電特征，延伸穿過所述第一IMD層；第二導電特征，延伸穿過所述第一IMD層；源極漏極接觸件，延伸穿過所述第一ILD層并部分地延伸到所述第一導電特征中，所述源極漏極接觸件與所述源極漏極區域和所述第一導電特征實體接觸；柵極接觸件，延伸穿過所述第一ILD層并部分地延伸到所述第二導電特征中，所述柵極接觸件與所述柵極堆疊和所述第二導電特征實體接觸；以及第二ILD層，位于所述源極漏極區域和所述第一ILD層之間，其中，所述源極漏極接觸件包括：第三導電特征，延伸穿過所述第一ILD層并部分地延伸到所述第一導電特征中；以及第四導電特征，位于所述第三導電特征和所述源極漏極區域之間，所述第四導電特征延伸穿過所述第二ILD層，并且具有與所述第三導電特征實體接觸的非平坦表面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。